更新时间：2025-05-17 11:17作者：佚名
根据9月14日的Smart-Energy，Nissin Electric的子公司Nissin Ion Equiption与美国的硅碳化物（SIC）制造设施合作，共同开发下一代电力半导体技术和集成电路。总部位于京都的Nissin Electric Group的Nissin Ion与阿肯色大学的多用户碳化物碳化物研究和制造工厂（音乐）合作，以推动这项技术的开发。 Nissin Electric在新闻稿中提到，该协作将推动下一代设备和更强大的功率半导体的开发，以实现更清洁和更有效的能源利用。 Nissin Electric强调，使用音乐开发的技术将支持清洁技术的应用，例如太阳能发电，XEV（电动汽车系列）和通用电子产品，这将受益于SIC的高效率，耐用性和高温抗性。作为合作的一部分，Nissin Ion将为音乐提供其高温离子植入器Impheatii技术，并计划于2025年启动为期三年的联合研究项目，以积累开发先进设备所需的离子植入技术知识。阿肯色大学指出，音乐是为数不多的小型SIC集成电路制造工厂之一，它将成为第一个向公众开放创新能力半导体技术和集成电路研发的设施，预计这将成为全球初创企业创新的来源。 Nissin Electric表示，该设施将为研究人员和公司提供原型制作，演示和设备设计的平台。此外，它将为学生提供培训机会，并在专业半导体领域发展未来的领导者。 （译者：Yahui）链接：https://ww.smart-energy.com/industry-sectors/new-technology/nissin-and-university-of-----------------------------------------------------------------------
