更新时间：2025-05-20 20:00作者：佚名
科学
《科学》：卷387 |问题6739-41 | 2025.03
这个科学和技术信息的问题：
卡文迪许实验室，英国剑桥大学：手性超分子半导体膜的循环极化电发光的研究亮点：人们对进入半导体材料的工程性手学非常感兴趣，目的是实现高水平的循环极化荧光（CPL）。当前，有效的有机光发射二极管（OLED）系统在宿主中使用空间分离的发光分子，从而导致CPL水平较低。以前建立均匀手性超分子秩序的尝试与优化的OLED设备体系结构不相容。 Chowdhury等。发现了一种基于三斑肌ruthenium分子的手性超分子纳米结构制备薄膜薄膜的方法。该方法与OLED制造完全兼容，并展示了强大的绿色CPL。这项工作为开发循环光驱动的有机电子产品开发了新的途径。
研究内容：当前的有机光发射二极管（OLED）技术在分子宿主中使用发光分子。我们报告了手性有序超分子组件中的绿色循环极化发光（CPL），三斑zazazan ruthenium（TAT）系统中有24的不对称性。我们发现，TAT组装成六个分子的螺旋，将角动量与价和传导带相关，并获得了观察到的CPL。 TAT作为“主题”与结构不匹配的“客体”共同宣传使膜的制造成为可能，其中通过热触发掺杂剂的纳米相分离和宿主在维持膜的完整性的同时，在原位实现了手性结晶。 OLEDS表现出多达16的外部量子效率和10的电致发光不对称性。手性超结构的真空沉积为探索手性驱动的光学和运输现象提供了新的机会。
千江大学：半主持人狭窄带隙半导体中关于压电性研究的亮点：压电材料在应变时会产生电能，并且可以用作传感器或执行器。出于各种原因，良好的压电材料是电绝缘体或宽带隙半导体。 Huang等人的研究表明，半主持人家族的狭窄带隙半导体也可以具有吸引人的压电特性。他们发现，即使在高温下，至少三个无铅组成也具有良好的压电应变系数。这些特性的特殊组合使这些材料成为应用程序范围与常规压电材料不同的良好候选。
研究内容：压电性主要在非中心对称绝缘体或宽带隙半导体中观察到。我们报告了在半钉（HH）窄带半导体Tinisn，ZRNISN和TICOSB中观察到的压电（PE）效应。这些材料的剪切PE应变系数分别在ZRNISN和TICOSB中分别达到38和33个Picocoulo/Newton，它们对于非中心对称非极性材料的值非常高。我们演示了一个基于TICOSB的PE传感器，具有较大的电压响应，并能够为电容器充电。 HHS中的PE效应在高达1173开尔文的温度下保持热稳定，突出了它们在高温应用中的潜力。我们的观察结果表明，这些HH狭窄的带隙半导体可能会在高级多功能技术中发现有希望的应用。
上海北港大学：同型碳纳米管的范德华晶体研究的亮点：在十六边氮化氢硼基于二维晶体碳纳米管上生长二维晶体阵列，可以实现高表现性能现场效应晶体管。张等。已经证明纳米管之间的范德华相互作用驱动其排列，并在低摩擦表面上产生统一的Intertube间距。 FET显示高达2000平方厘米/伏特/秒的高载体迁移率，开/关比以上是10^7。
研究内容：对于单壁碳纳米管（SWNT）在集成电路中的应用，至关重要的是要拥有一个良好的基于半导体的执行密度SWNT阵列。在这项工作中，我们报告了六角硼（HBN）底物上紧密堆积的单壁碳纳米管阵列的直接生长，显示了每个阵列中的高对齐和均匀的手性。分子动力学模拟表明，自组装生长机制是由范德华引力的超低滑动摩擦引起的，原子平面HBN底物上的单壁碳纳米管。由生长的单壁碳纳米管阵列构成的现场效应晶体管在室温下表现出较高的性能，其迁移率高达2000平方厘米/伏特每秒，ON/OFF比率约为10^7，最大电流密度约为6 mA/微米。
美国列海大学：具有表面稳定降水阶段的高温纳米结构的Cu-ta-Li合金的研究亮点：从理论上讲，纳米晶合金即使在高温下也可以保持相当大的强度，但在实践中很少证明这一点。 Hornbuckle等。从铜（Cu）和塔塔勒姆（TA）的二元合金开始，尽管两者是不混溶的，但它们在其中添加了锂（Li）。该混合物导致与TA的Cu3Li纳米级簇涂在一起的沉淀物。这种核心壳结构既不溶解，也不会在高达800C的温度下变厚，也可以在1吉帕斯卡省屈服强度。
研究内容：我们提出了一种散装的纳米晶铜合金，该合金可以在熔化温度接近熔化的温度下，而粗糙和蠕变变形最小。 CU-3TA-0.5LI原子（at）合金的热稳定性归因于连贯的，有序的L12 Cu3Li沉淀物，周围是富含Tantalum的原子BiLayer相位阶段边界络合物。在不混溶的Cu-Ta系统中将0.5 AT锂添加可以将纳米级沉淀物的形态从球形形状转化为立方体，并同时调整相边界。所得的纳米级以稳定的肤色沉淀可提供出色的热稳定性，强度和抗蠕变性。基本合金设计原理可以指导在高温应用（例如热交换器）中的下一代铜合金的开发。
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